需求简要说明及主要技术参数 |
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大功率LED封装由于结构和工艺复杂,并直接影响到LED的使用性能和寿命,一直是近年来的研究热点,特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。
大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面。这些因素彼此既相互独立,又相互影响。其中,光是LED封装的目的,热是关键,电、结构与工艺是手段,而性能是封装水平的具体体现。从工艺相容性及降低生产成本而言,LED封装设计应与晶片设计同时进行,即晶片设计时就应该考虑到封装结构和工艺。否则,等晶片制造完成后,可能由于封装的需要对晶片结构进行调整,从而延长了产品研发周期和工艺成本,有时甚至不可能。
希望与各机构合作,完成大功率LED封装及热处理技术研究,具体的技术参数如下。
技术参数:
采用纳米银焊膏的低温烧结技术,利用其纳米银低熔点的性能,使烧结温度降低到280℃,而烧结后银连接具有高熔点(960℃)、高导电和高导热性能,非常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。
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