一种新型LC Nozzle装置

成果、专家、团队、院校、需求、企业在线对接

梁文轩与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
成科扬与江苏省生产力促进中心科技资源开发与技术转移处对接成功
黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功

方成刚与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
赵金星与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功
王庆富与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功

一种新型LC Nozzle装置

需求所属领域：装备制造

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：产品升级换代、生产线技术改造

意向合作方式：技术咨询、技术服务

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

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发布人：JSPC王磊在线

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综合介绍: 原有Incell 产品为8L8P设计，为考量成本及较少制程复杂性，RD新设计8L7P新架构，因膜层蚀刻率及面内外开孔深度不同，Layout 图形设计的非常重要问题点详述: 1. 现有incell（7 Mask） Pixel设计，PV-TH开孔设计，面外开孔深度11000A (GI 6100A +PV5000A)；面内开孔PV 5000A 2. 为保证面外开孔ok，面内孔存在超过M2风险，导致M2与M1 short，造成产品不良 3. M2与B-ITO不同层，受OVL影响，间距需大于4um，若M2与B-ITO short存在会造成产品不良。问题愿意 1. 设计限制，开口率考量，M2垫层无法做大 2. PV 蚀刻率为GI蚀刻率的2倍（PV 8000A/Min，GI 4000A/min），面外开孔OK后，面内开孔存在超出M2垫层的风险参数要求： 1. Trace Line开孔位置，放置B-ITO保护层，PV开孔超过M2时，有B-ITO保护，不会开到M1 2. M2与B-ITO因间接对位影响，原设计需大于4um，但使用B-ITO做保护层后，M2可做小，且同层B-ITO距离可缩小至3

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
综合介绍: 原有Incell 产品为8L8P设计，为考量成本及较少制程复杂性，RD新设计8L7P新架构，因膜层蚀刻率及面内外开孔深度不同，Layout 图形设计的非常重要问题点详述: 1. 现有incell（7 Mask） Pixel设计，PV-TH开孔设计，面外开孔深度11000A (GI 6100A +PV5000A)；面内开孔PV 5000A 2. 为保证面外开孔ok，面内孔存在超过M2风险，导致M2与M1 short，造成产品不良 3. M2与B-ITO不同层，受OVL影响，间距需大于4um，若M2与B-ITO short存在会造成产品不良。问题愿意 1. 设计限制，开口率考量，M2垫层无法做大 2. PV 蚀刻率为GI蚀刻率的2倍（PV 8000A/Min，GI 4000A/min），面外开孔OK后，面内开孔存在超出M2垫层的风险参数要求： 1. Trace Line开孔位置，放置B-ITO保护层，PV开孔超过M2时，有B-ITO保护，不会开到M1 2. M2与B-ITO因间接对位影响，原设计需大于4um，但使用B-ITO做保护层后，M2可做小，且同层B-ITO距离可缩小至3

需求简要说明及主要技术参数

企业信息

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