一种改善Metal Oxide PV-TH 毛刺新设计

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梁文轩与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
成科扬与江苏省生产力促进中心科技资源开发与技术转移处对接成功
黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功

方成刚与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
赵金星与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功
王庆富与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功

一种改善Metal Oxide PV-TH 毛刺新设计

需求所属领域：装备制造

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：产品升级换代、生产线技术改造

意向合作方式：技术咨询、技术服务

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

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发布人：JSPC王磊在线

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综合介绍: Metal Oxide新技术导入，引进SIO/SIN新膜质，因新导入膜质和蚀刻气体影响，Layout图形设计方式对产品实际状况影响极大问题点详述: 现有Metal Oxide pixel ，OC-TH与PV-TH交叠设计，PV-TH开孔时，存在OC裸露，蚀刻后形成毛刺。原因分析： OC分解成份与Plasma混合，生成新的反应物后，Redepo TFT表面。参数要点： OC-TH与PV-TH交叠位置，M3制程做阻挡层，PV-TH 蚀刻制程时，plasma轰击时不会接触OC，从而可有效改善TH毛刺

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
综合介绍: Metal Oxide新技术导入，引进SIO/SIN新膜质，因新导入膜质和蚀刻气体影响，Layout图形设计方式对产品实际状况影响极大问题点详述: 现有Metal Oxide pixel ，OC-TH与PV-TH交叠设计，PV-TH开孔时，存在OC裸露，蚀刻后形成毛刺。原因分析： OC分解成份与Plasma混合，生成新的反应物后，Redepo TFT表面。参数要点： OC-TH与PV-TH交叠位置，M3制程做阻挡层，PV-TH 蚀刻制程时，plasma轰击时不会接触OC，从而可有效改善TH毛刺

需求简要说明及主要技术参数

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