一产品和技术简介：
薄膜晶体管(TFT)是液晶、OLED等显示器件的关键控制器件，一般由玻璃衬底、栅极绝缘层、半导电沟道层、三种电极(栅极、源极、漏极)，及可选的钝化层组成。其中，其栅极、源/漏电极传统多采用Al、Cu单层金属，经双氧水或磷酸-醋酸-硝酸(PAN)三酸体系湿法刻蚀而制成，随着技术的发展，电极目前往双层、多层合金结构发展，如Al/Mo，Mo/Al-Nd/Mo，Cu/Mo，Mo/Cu/Mo-Ti，Mo/Cu/Mo-Ta等，由于不同金属或合金之间的电极电位不同，传统的加工单层金属电极的刻蚀液组成和参数条件，已不适应，需要开发新的刻蚀液配方与刻蚀条件，但目前产线上应用的刻蚀液多是从日本、韩国进口，存在被“卡脖子”风险。目前需要合作伙伴，把该实验室技术放大到工业规模，实现在国内的生产和规模化应用。
二、应用范围：
a-Si基TFT、氧化物基TFT(如IGZO、ITZO等)用Al、Cu基叠层电极电极的加工。也可推广应用于其它微纳电子器件，如功率电子器件电极的加工。
三、生产条件：
室温、大气环境。
三、成本沽算：
在传统的双氧水、磷酸-醋酸-硝酸(PAN)三酸体系配方基础上，增加了特种添加剂，提高了刻蚀液的刻蚀性能和稳定性，增加成本约10%。
四、规模与投资：
需要与合作方协商决定。
六、提供技术的程度和合作方式：我们提供刻蚀液配方技术和相关制备技术，合作方提出进行生产放大并实施批量生产。
七、市场与效益：
TFT电极的刻蚀液及刻蚀技术目前主要被日、韩垄断，本项目提供的技术属于国内独有的前沿专利技术，可望突破国外垄断，具有重大应用价值，尤其在有可能被“卡脖子”的今天。
黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功
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