由浙江大学常州工业技术研究院专用集成电路研究中心研制,致力于逐步实现碳化硅功率芯片的国产化。
Si基器件在600V以上高电压以及高功率场合达到其性能的极限;为了提升在高压/高功率下器件的性能,第三代半导体材料SiC(碳化硅)应运而生。SiC器件具备的多种优势将带动电动车续航能力的提升:1)高电能转换效率:SiC属于宽能隙材料,击穿场强度大比Si基半导体材料更适用在高功率的应用场景;2)高电能利用效率:SiC属于宽能隙材料,击穿场强度大比Si基半导体材料更适用在高功率的应用场景;3)低无效热耗:开关频率高,速度快,所产生无效的热耗减少,使的电路、散热系统得以简化