成果查询 - 技联在线

2023年07月28日

一种治疗肝纤维化的“抗肝纤胶囊”产品研发

成果编号：39328

生物技术与医药

本发明公开了一种治疗肝纤维化的中药复方制剂，由三七、老鹳草、五味子、茜草按一定重量份配比所制成。其制法对处方中的三七、五味子和茜草三味药材加50-90%乙醇回流提取，提取液及药渣分别留存备用；将老鹳草和上述药渣合并后加水煎煮，滤过，滤液减压浓缩至相对密度至1.05-1.30，用95%乙醇调节醇浓度为55-85%，静置过夜，滤过，滤液与上述乙醇回流液合并，减压回收乙醇并浓缩至稠膏状，真空干燥后粉碎成细粉，添加不同剂型相应的辅料适量，用常规的制剂方法制成口服液、颗粒剂、片剂或胶囊剂。本中药复方制剂具有活血通络，化瘀散结的功效，经药效学试验结果表明本中药复方制剂之抗肝纤维化功效显著。

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2023年07月28日

汉黄芩素改构化合物QL-H009

成果编号：39325

其他

以天然产物汉黄芩素为基础，进行结构优化，提高抗肿瘤活性。H009可抑制多种肿瘤生长；其中，对血液瘤的抑制作用最强。对正常细胞无杀伤作用。QL-H009抑制多种人AML细胞株异位移植瘤生长，且显著延长对人AML PDX模型小鼠生存期，延长率达到193.6%。

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2023年07月28日

自润滑 MC 尼龙材料

成果编号：39313

装备制造

该材料在不降低 MC尼龙材料力学性能的同时，大幅度提高材料的自润滑和耐磨损性能，不影响原有的成型工艺，与传统的自润滑尼龙材料相比具有更低的摩擦系数与更好的耐磨性，并且在机械运动件中不易发生爬行现象，避免了异常噪声的产生。主要应用于工业领域的机械耐磨与承载部件等领域。

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2023年07月28日

高性能聚合物水润滑轴承材料

成果编号：39311

装备制造

该材料以高性能嵌段共聚高分子合金为基体，添加特殊反应添加剂以及润滑剂，开发出了具有优异干摩擦性能和水润滑性能的 ASX 系列水润滑轴承材料，具有优异的水润滑和自润滑能力，与国外同类型产品相比，具有更加优异的干摩擦耐磨损能力和更低的水环境摩擦系数。

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2023年07月28日

超低摩擦固体润滑材料特种润滑膏润滑脂

成果编号：39307

生物技术与医药

该成果是一种特殊空间环境下使用的超低摩擦的固体润滑材料，因此，其许多性能如尺寸稳定性、摩擦系数及稳定性远高于一般环境，能在保证材料具有特殊性质，主要是在高负荷条件下的摩擦系数很低(不大于0.05)，主要应用于航空航天的特殊润滑等领域。

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2023年07月28日

聚酰亚胺光刻胶

成果编号：39305

装备制造

聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线只寸与掩模线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光被量做亚胺相时凶配。光刻后不留底膜，海领厚度小于 100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的 1/5。主要应用于微机电系铁、太阳能光伏及微流道和生物芯片工业等领城。

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2023年07月28日

石墨烯基减摩抗磨纳米润滑添加剂

成果编号：39304

其他

该成果是一种石墨烯负载二氧化铈(Ce02)和二氧化锆(Zr2)复合纳米润滑添加剂材料，其在基础油中具有较好的分散稳定性，能大幅提升基础油的摩擦学性能，非常少量的添加剂(~0.06wt%)即可将摩擦系数降为基础油的1/2，磨损率降为基础油的1.5%。主要应用于米润滑添加剂等领域。

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2023年07月28日

碳纤维原丝产品

成果编号：39303

其他

采用DMSO一步法聚合工艺和干喷溶纺技术，开发世界最大60m3聚合量，最大纺速400米/分钟，效率是传统湿法纺丝的4-6倍，建成了国际先进的干吨级高性能24K和12K碳纤维原丝生产线，年产能5000吨，稳定量产不同规格高性船碳纤维配套原丝产品

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2023年07月28日

一体化机器人腔镜中心

成果编号：39302

其他

以创制分级诊疗、舰艇卫勤、应急救援等多领域适用的智能化移动微创装备为目标，在我国率先研制了具有气腹功能的一体化腔镜成套装备，发明了多信道微创视像处理的智能边缘计算系统，构建了智能化全流程微创医疗混合云服务系统，填补了国内技术空白。

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2023年07月28日

电能质量测试分析仪

成果编号：39301

装备制造

测量精度高:测量不确定度满足GB/T 17626.30-2012《电磁兼容试验和测量技术电能质量测试方法》对A级仪器的要求;测量频带宽:单通道采样频率可达12.8kHz及以上，且仪器内部采用硬件抗混叠滤波器，可实现对100次谐波测量的要求;电压输入范围宽:电压通道的输入电压最高可达600Vr。

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2023年07月28日

人工突触领域研发的新路径

成果编号：39300

电子信息

本申请涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由上至下设置的顶电极层，双层阻变氧化层和基底；所述双层阻变氧化层分别为氧化镓层和氧化铝层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该具有双层阻变氧化层的忆阻器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，并获得类人脑神经突触活动的长期可塑性性能。

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2023年07月28日

氮化镓凹槽栅常开/常关型器件

成果编号：39299

电子信息

GaN器件的潜在应用市场十分广阔，覆盖电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等为代表的各个民用领域。GaN材料应用于电力电子器件，能够突破硅材料对器件性能的限制，实现高频、高效率、高功率密度、耐高温和高可靠性的功率器件。本方向研究600 V，1-10 A 硅基氮化镓三极管器件，要求击穿电压BVds 大于600 V，漏电Id 小于10 μA，阈值电压Vth 大于2 V ；满足高频、快速、小体积、低损耗等应用需求。CMOS中低压力化学气相沉积法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD）绝缘薄膜生长技术，实现高质量的绝缘介质层；研究绝缘栅介质生长前预处理的方法，改善半导体/介质层的界面态，制作高质量绝缘栅介质，减小漏电流。

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