人尿激肽原酶

成果、专家、团队、院校、需求、企业在线对接

黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功
方成刚与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
赵金星与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功

王庆富与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
高文通与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
高文通与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功

需求所属领域：电子信息

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：产品升级换代

意向合作方式：技术开发

意向合作院校：

拟投入资金额： 100万元

参加活动：首届江苏产学研合作对接大会

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发布人：扬州扬杰电子科技股份有限公司离线

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1、高压大功率MOSFET芯片：根据产品在电动汽车充电设备方面的技术要求和应用特点，将超结技术与Trench MOS技术有机结合，开发600～900V，10～40A的高压大功率MOSFET芯片。 2、高压大功率MOSFET器件封装：高密度、大框架、多芯片封装技术的开发、运用； 3、新型IGBT芯片及功率模块：开发600V-6500V IGBT 先进芯片的设计、工艺制造及模块封装技术，实现IGBT 芯片的量产； 4、第三代功率半导体： A、开发新型宽禁带SiC半导体高压功率器件，突破高压SiC 功率二极管和MOSFET在设计仿真、晶圆制造、封装测试、可靠性认证和系统应用等方面的关键技术，实现1200V高压SiC 功率JBS二极管和MOSFET系列化产品的产业化； B、开发面向新一代通用电源的GaN基新型电力电子器件，在GaN基电力电子器件的外延层和器件结构的设计、高质量的外延方法、器件研制工艺等取得关键技术突破。

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
1、高压大功率MOSFET芯片：根据产品在电动汽车充电设备方面的技术要求和应用特点，将超结技术与Trench MOS技术有机结合，开发600～900V，10～40A的高压大功率MOSFET芯片。 2、高压大功率MOSFET器件封装：高密度、大框架、多芯片封装技术的开发、运用； 3、新型IGBT芯片及功率模块：开发600V-6500V IGBT 先进芯片的设计、工艺制造及模块封装技术，实现IGBT 芯片的量产； 4、第三代功率半导体： A、开发新型宽禁带SiC半导体高压功率器件，突破高压SiC 功率二极管和MOSFET在设计仿真、晶圆制造、封装测试、可靠性认证和系统应用等方面的关键技术，实现1200V高压SiC 功率JBS二极管和MOSFET系列化产品的产业化； B、开发面向新一代通用电源的GaN基新型电力电子器件，在GaN基电力电子器件的外延层和器件结构的设计、高质量的外延方法、器件研制工艺等取得关键技术突破。

需求简要说明及主要技术参数

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