第三代功率半导体芯片及器件

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赵金星与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功
王庆富与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
高文通与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功

高文通与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功
纪秀林与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
纪秀林与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功

第三代功率半导体芯片及器件

需求所属领域：其他

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：其他

意向合作方式：其他

意向合作院校：

拟投入资金额： 5000万元

参加活动：第二届江苏产学研合作对接大会

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发布人：扬州扬杰电子科技股份有限公司离线

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需要解决的主要技术问题: （1）、IGBT：1700V、3300V芯片开发，4500V芯片设计；（2）、SGT MOS芯片及器件开发；（3）、SiC：1200V 以上芯片及器件开发。 2.需求提出背景及主要应用领域方向：在功率半导体芯片及器件方面，针对高压、大电流、低功耗以及第三代功率半导体产业化方面进行技术合作；对标国际先进，实现同类产品进口替代技术难点：650-1200V碳化钾、碳化硅产品； 1700V、3300V 4500V IGBT芯片及器件

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
需要解决的主要技术问题: （1）、IGBT：1700V、3300V芯片开发，4500V芯片设计；（2）、SGT MOS芯片及器件开发；（3）、SiC：1200V 以上芯片及器件开发。 2.需求提出背景及主要应用领域方向：在功率半导体芯片及器件方面，针对高压、大电流、低功耗以及第三代功率半导体产业化方面进行技术合作；对标国际先进，实现同类产品进口替代技术难点：650-1200V碳化钾、碳化硅产品； 1700V、3300V 4500V IGBT芯片及器件

需求简要说明及主要技术参数

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