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半导体晶体大幅面高定向放电切割方法

成果编号:25802
价格:面议
完成单位:南京航空航天大学
单位类别:211系统院所
完成时间:2017年
成熟程度:小批量生产阶段
服务产业领域: 装备制造
发布人:孙祥国 离线
硅、锗单晶体是航空航天、大科学装置等领域使用的关键光电器件,晶体的大幅面及高定向两项指标对于提高光通量、光定向性具有决定性意义。目前世界上大部分国家均采用专门研制的带有晶体定向检测的精密磨床的工艺路线进行硬脆晶体材料的去除,且仅有奥地利、日本、美国等少数国家掌握该技术,同时对我国某些大型科学工程中的大幅面高定向晶体加工需求技术封锁。此外,从技术角度看,采用宏观机械力加工一是大幅面加工时的效率非常低下,材料利用率低;二是力会对晶体内部有序结构产生应变,影响到晶格的完美程度,从而进一步对光或粒子产生误差。对于国家目前开展的相关重大科学工程应用而言,自主掌 握我国关键晶体元件的制造能力具有十分重要的战略意义。因此,本成果抓住上述两点,提出了基于无宏观机械力的走丝形式切割方法,目前已经在多项重大工程中实现应用。
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成果介绍

科技计划:
成果形式:新技术、新工艺
合作方式:技术转让、技术开发、技术咨询、技术入股、人才培养、共建载体
参与活动: 2020年高校院所走进镇江高新区暨船舶海工产业产学研合作对接活动 2020年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动 2021年高校院所走进镇江产学研合作对接活动 2021年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动 首届江苏产学研合作对接大会
专利情况: 未申请专利
成果简介
综合介绍
硅、锗单晶体是航空航天、大科学装置等领域使用的关键光电器件,晶体的大幅面及高定向两项指标对于提高光通量、光定向性具有决定性意义。目前世界上大部分国家均采用专门研制的带有晶体定向检测的精密磨床的工艺路线进行硬脆晶体材料的去除,且仅有奥地利、日本、美国等少数国家掌握该技术,同时对我国某些大型科学工程中的大幅面高定向晶体加工需求技术封锁。此外,从技术角度看,采用宏观机械力加工一是大幅面加工时的效率非常低下,材料利用率低;二是力会对晶体内部有序结构产生应变,影响到晶格的完美程度,从而进一步对光或粒子产生误差。对于国家目前开展的相关重大科学工程应用而言,自主掌 握我国关键晶体元件的制造能力具有十分重要的战略意义。因此,本成果抓住上述两点,提出了基于无宏观机械力的走丝形式切割方法,目前已经在多项重大工程中实现应用。
创新要点
发明高阻(极值 100Ω•cm)半导体晶体放电加工方法; 发明大幅面(某方向尺寸>200mm)高定向(<±1″)晶体放电切割加工方法; 研制专用加工机床及软件。
技术指标
发明高阻(极值 100Ω•cm)半导体晶体放电加工方法; 发明大幅面(某方向尺寸>200mm)高定向(<±1″)晶体放电切割加工方法; 研制专用加工机床及软件。
其他说明
完成人信息
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