第三代半导体用高导热氧化铝、氮化铝陶瓷基板的关键技术开发

成果、专家、团队、院校、需求、企业在线对接

黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功
方成刚与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
赵金星与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功

王庆富与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
高文通与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
高文通与江苏省生产力促进中心企业咨询与知识产权服务中心对接成功

第三代半导体用高导热氧化铝、氮化铝陶瓷基板的关键技术开发

需求所属领域：新材料

需求所处阶段：批量生产阶段

需求缘由：制造工艺改进

意向合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

参加活动：

我要对接关注发送消息

发布人：江苏省生产力促进中心科技人才培训中心在线

发送消息

陶瓷基板的研究及开发主要聚焦在Al2O3陶瓷基板和AlN陶瓷基板的产业化关键技术。Al2O3基板的导热系数达到20W/m·K，是铝基板（1-1.2W/m·K）的近20倍，AlN基板的导热系数更是达到200W/m·K，甚至更高。除了具有高导热特性之外，陶瓷基板还有耐高压、耐高温、防腐蚀，介质损耗低等优点，是大功率LED及第三代半导体器件的最佳封装板材。目前国内在Al2O3陶瓷基板方面已经实现了产业化，但是在制造大尺寸防翘曲技术上仍然没有突破。在AlN基板方面，目前国内亟待突破的技术包括用于烧结AlN基板的AlN粉体制备技术和AlN基板制备技术。

280 次浏览分享到

需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
陶瓷基板的研究及开发主要聚焦在Al2O3陶瓷基板和AlN陶瓷基板的产业化关键技术。Al2O3基板的导热系数达到20W/m·K，是铝基板（1-1.2W/m·K）的近20倍，AlN基板的导热系数更是达到200W/m·K，甚至更高。除了具有高导热特性之外，陶瓷基板还有耐高压、耐高温、防腐蚀，介质损耗低等优点，是大功率LED及第三代半导体器件的最佳封装板材。目前国内在Al2O3陶瓷基板方面已经实现了产业化，但是在制造大尺寸防翘曲技术上仍然没有突破。在AlN基板方面，目前国内亟待突破的技术包括用于烧结AlN基板的AlN粉体制备技术和AlN基板制备技术。

需求简要说明及主要技术参数

企业信息

企业名称	对接成功后可查看	企业类型	对接成功后可查看
所在地区	对接成功后可查看	详细地址	对接成功后可查看

负责人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

电话：对接成功后可查看

传真：对接成功后可查看

联系人信息

联系人：对接成功后可查看