1200V高耐压GaN功率器件研发

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1200V高耐压GaN功率器件研发

需求所属领域：能源环保

需求所处阶段：其他

需求缘由：其他

意向合作方式：其他

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

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发布人：江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处离线

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【市场背景】 2020年的GaN功率器件市场突飞猛进的原因之一是快充的广泛应用，到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出了18款以上的内置GaN的充电器手机。未来随着智能手机等设备的电池容量越来越大，用户对快充的需求将会更加明显。当前的功率GaNFET有两个主流方向:增强型(E-Mode，单芯片常关器件)和耗尽型(D-Mode，双芯片常关器件)。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关(或者说共源共栅配置)的D-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1MHz开关频率的操作，共源共栅GaNFET最为适合。【技术需求】 1200V高耐压GaN功率器件研发【现有基础】已有650V、900V等耐压器件大规模量产基础，1200V器件已实现初步制备【合作需求】希望能与长三角地区第三代半导体专业发展较为突出的高校、科研院所合作

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
【市场背景】 2020年的GaN功率器件市场突飞猛进的原因之一是快充的广泛应用，到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出了18款以上的内置GaN的充电器手机。未来随着智能手机等设备的电池容量越来越大，用户对快充的需求将会更加明显。当前的功率GaNFET有两个主流方向:增强型(E-Mode，单芯片常关器件)和耗尽型(D-Mode，双芯片常关器件)。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关(或者说共源共栅配置)的D-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1MHz开关频率的操作，共源共栅GaNFET最为适合。【技术需求】 1200V高耐压GaN功率器件研发【现有基础】已有650V、900V等耐压器件大规模量产基础，1200V器件已实现初步制备【合作需求】希望能与长三角地区第三代半导体专业发展较为突出的高校、科研院所合作

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