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单伟伟[专家]

所在单位：东南大学

职称：教授

研究方向：SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片和信息安全芯片设计。

服务产业领域：电子信息

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发布人：江苏省生产力促进中心科技资源开发与技术转移处在线

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SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片和信息安全芯片设计。

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专家介绍

出生年月： 1982-02

性别：女

毕业院校：清华大学

学位：博士

工作部门：国家ASIC工程中心

工作单位：东南大学

职称：教授

职务：

专家类别：

所在地区：江苏省-南京市-玄武区

邮政编码：210018

详细地址：南京市玄武区四牌楼2号东南大学

单位性质：985系统院所、211系统院所

主要服务产业领域：电子信息

研究方向：SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片和信息安全芯片设计。

依托研究平台：

推荐专家情况：国家杰出青年科学基金获得者、获部、省科技进步二等奖以上的主要完成人

简述主要科研能力、成绩与成果：目前主持国家重大专项“面向智能终端的嵌入式高能效深度学习引擎开发与产业化”；主持江苏省杰出青年基金项目；主持国家自然科学基金面上项目：语音唤醒人工智能芯片的极低功耗设计技术“近阈值超宽电压电路的PVT偏差弹性设计方法研究”、“基于自适应双向时钟拉伸的VLSI时序余量片上消除方法及其电路实现”等。

近五年来累计在28nm和40nm工艺（包括TSMC和SMIC）成功流片9次，在近阈值到宽电压低功耗定制电路、自适应电压调节芯片、高能效加密电路、和高能效智能芯片等方面积累了丰富经验，流片测试结果均发表在IEEE transactions高水平期刊和著名会议上。

在集成电路最顶级国际会议ISSCC2020上发表论文一篇（一作），并评为Highlight论文；在顶级期刊JSSC (IEEE Journal of solid-state circuits)上发表论文3篇（一作），其他IEEE transactions上发表若干篇。代表东南大学首次突破集成电路旗舰会议VLSI symposium和DAC两大会议。

获2014年国家科技进步二等奖和2018年江苏省科学技术奖一等奖；获A-SSCC2017杰出设计奖和GLSVLSI2018最佳论文候选奖；入选2012年江苏省高校'青蓝工程'优秀青年骨干教师培养对象。授权美国发明专利5项，中国发明专利30余项。

简述主要咨询专长与案例：

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