科技计划:
成果形式:新工艺
合作方式:技术开发、技术咨询
参与活动:
专利情况:
未申请专利
成果简介
综合介绍
多晶硅晶体定西凝固生长过程中,熔化的硅液盛放在坩埚内,坩埚底部的温度主要通过调节底部保温板与侧部隔热笼的开度,通过热交换台辐射散热的方式进行降温,从而来控制晶体生长的速度。
多晶硅晶体生长过程中,坩埚内硅熔液的热量通过热交换台向外辐射散热,但是由于底部保温板打开的导热方式,使多晶硅熔液向外散热的路径不一致,造成侧部散热快,中间散热慢。
创新要点
1.将坩埚分成容易组装和拆卸的部分,将坩埚的侧壁使用较低导热率的材质,底部使用高导热率的材质,提高其导热性。
2.将底部保温板分割,形成组合式保温板,满足对导热性的要求。
3.将底部保温板由二维平面的,改变为三维立体结构,将中部区域加装导热率高的材料,减少中部区域与边缘区域的温度差。
4.将底部保温板由均匀的石墨材料改变为由不同导热率材料组成的梯度变化的复合材料组成。
技术指标
硅锭尺寸 840*840*270mm
最大装料量 470kg
生产周期 60hrs
工作温度 1560℃
硅锭生长速率 2cm/h
极限真空度: 0.002mba
额定加热功率 160KW
主变压器容量: 200kVA
其他说明
完成人信息
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