科技计划：
成果形式：新材料
合作方式：
参与活动：
专利情况：
未申请专利
成果简介
综合介绍
本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。目前太赫兹偏光器大多是通过机械加工用金属栅制成的，金属栅间距的最小极限是10微米左右，比太赫兹波长比小十倍，因此大大减小了偏振消光比。科研人员通常用薄膜沉积和光刻加工的方法制造红外和高频太赫兹的偏振器，对透明衬底的要求限制了其在几个太赫兹到20THz波段的应用。本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。
创新要点
技术指标
①半金属纳米线直径5-7 nm；
②半金属纳米线间距10-20 nm；
③Er浓度1%-25%；
④整体材料厚度100 nm-2 μm；
⑤适用波长范围0.2-100 THz
其他说明
江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室
完成人信息
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纪秀林与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
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