科技计划:
成果形式:新技术
合作方式:技术转让、技术服务、技术入股
参与活动:
专利情况:
未申请专利
成果简介
综合介绍
该项目研发了一种高介电材料系统ALD制备技术。
创新要点
技术指标
以各类高介电材料系统(如Al2O3/SiO2、Al2O3/HfO2及Ba(Sr)TiO3等)为代表,针对8英寸晶圆工艺,在合成高纯前驱体的基础上研发一套成熟的、与微电子工艺相兼容的ALD沉积工艺技术,以获得均匀性优、可靠性高的High-K薄膜材料。
其他说明
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