科技计划：
成果形式：新产品
合作方式：技术开发
参与活动：
专利情况：
正在申请 ,其中:发明专利 1 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项
专利号:
201310099827.8
成果简介
综合介绍
针对下一代移动通信基站核心元器件应用需求，研制50V工作超宽带、高线性GaN微波功率管。优化设计了GaN外延结构，优化了器件跨导曲线，提高器件线性度，使器件在回退7.5dB工作时，PAE效率从32%提高到46%，达到基站应用要求。同时完成4G-LTE系统验证，在回退6dB工作时器件ACPR达到30dBC，满足4G通信要求。
创新要点
优化材料设计及生长,提高器件在工作中抗失配能力。同时通过优化器件跨导平坦度，提高器件线性度。
技术指标
单管芯器件典型指标在2.7GHz下测得饱和输出功率130W，效率66%，功率增益17dB，器件性能达到国外同类产品水平。
其他说明
完成人信息
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