科技计划：
成果形式：新产品、新材料
合作方式：其他
参与活动：
专利情况：
正在申请 ,其中:发明专利 3 项
已授权专利,其中:发明专利 2 项
专利号:
ZL201120361071.6,ZL201420116773.X,201410375328.6
成果简介
综合介绍
国盛公司在硅外延领域的技术和产品位于国内前列，拥有自主研发的批生产技术和多项技术专利，先后承担了多项国家科技重大专项、国家高技术产业化项目及省市科技攻关等研制任务，“5英寸、6英寸VDMOS功率器件用硅外延片”荣获中国半导体创新产品称号；主持和参与二十多项半导体材料领域国家技术标准的制订，快速有效得将研制成果产业化，为国内半导体行业的技术进步做出了积极的贡献。
创新要点
国盛公司采用的高质量大尺寸硅外延工艺是以SiHCl3为源，通过中频加热的方式进行气相淀积，电阻率和厚度均匀性和重复性均能得到较好的控制。
技术指标
大尺寸n/n+或p/p+硅外延片，表面缺陷、表面形态符合SEMI标准；外延层厚度片内径向变化率小于1%，片间径向变化率小于2%；外延层电阻率片内径向变化率小于2%，片间径向变化率小于3%。外延产品的主要技术参数指标达到国外同类产品水平。
其他说明
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