科技计划：
成果形式：
合作方式：技术开发
参与活动：
专利情况：
未申请专利
成果简介
综合介绍
本项目研制的卧式PECVD设备主要用于晶硅太阳电池正面减反射膜制备工艺及背面钝化膜保护膜生长工艺。此外还可以用于生长二氧化硅，用来提高晶硅太阳电池抗PID性能。具有产能高、占地面积小、产品成膜均匀、折射率在线可调、自动化程度高等优点，已经广泛应用于晶硅太阳电池行业，解决了行业快速发展对装备的产业化需求。
创新要点
技术指标
主要技术指标：1、基片尺寸：156mm方片2、产量：416片/批3、恒温区：1600mm；4、控温范围：300℃-550℃；5、温度控制精度：±2℃(SV)6、成膜种类：氮化硅、氮氧硅、氧化硅
其他说明
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黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功
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