科技计划:
成果形式:
合作方式:技术开发
参与活动:
专利情况:
未申请专利
成果简介
综合介绍
面向高Al组分AlGaN材料与器件的发展需求,四十八所研发出了国内首台高温型MOCVD设备,适用于紫外光电器件、GaN射频/电子功率器件的科研与生产。
创新要点
技术指标
(1)单批产能:19×2 ″、6×3 ″、4×4″ ;(2)最高温度:1500℃ ;(3)控温精度:±1℃ ;(4)漏气率:≤1×10-7Pa·L/s ;(5)膜厚均匀性:<3% 。
其他说明
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