科技计划：
成果形式：新技术、新工艺、新材料
合作方式：技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股
参与活动：
专利情况：
未申请专利
成果简介
综合介绍
成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄膜的外延生长，并发现了其在长波长LED中的应用潜力。
创新要点
研究发现，石墨烯的插入极大地降低了GaN薄膜中的双轴应力，有效提高了InGaN阱层In原子并 入，使量子阱发光波长显著红移。该成果有助于推动高性能、长波长氮化物发光器件发展。相关结果以 '''Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes''为题发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science & Applications》。
技术指标
应用领域
照明、显示领域。
知识产权情况
已申请发明专利：张源涛，余煙，邓高强，张宝林，一种在石墨烯上生长GaN的方法，2020-09-14, 中国，202010958847.6。
其他说明
完成人信息
姓名：对接成功后可查看
所在部门：对接成功后可查看
职务：对接成功后可查看
职称：对接成功后可查看
手机：对接成功后可查看
E-mail：对接成功后可查看
电话：对接成功后可查看
传真：对接成功后可查看
邮编：对接成功后可查看
通讯地址：对接成功后可查看
联系人信息
姓名：对接成功后可查看
所在部门：对接成功后可查看
职务：对接成功后可查看
职称：对接成功后可查看
手机：对接成功后可查看
E-mail：对接成功后可查看
电话：对接成功后可查看
传真：对接成功后可查看
邮编：对接成功后可查看
通讯地址：对接成功后可查看
黄磊与江苏省生产力促进中心创新平台管理与服务处对接成功
电话：025-85485967 QQ群：1035941228