GaN基高压LED

成果编号：08421

价格：面议

完成单位：中国科学院半导体研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2014年

成熟程度：试生产阶段

服务产业领域：能源环保、新材料

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发布人：王军喜离线

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大功率LED的设计主要有两种途径：单颗大尺寸高电流低压LED（大电流功率芯片）和多个小功率LED在封装基板上串并联（小功率芯片集成）。大电流功率芯片在用于市电照明时电压转换幅度大而导致能耗大，变压驱动器的寿命也成为整个灯具寿命的短板。小功率芯片集成需要几十甚至上百个小功率芯片在基板上打线互连，互连可靠性低，光源面积大不利于光学设计，且小功率芯片的逐个安装排布导致封装成本高居不下。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新材料

合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 11 项
已授权专利,其中:发明专利 2 项

成果简介

综合介绍

创新要点

高压LED采用多个LED单元的芯片级互连，光源集中，互连可靠，封装成本低；无需大幅度的电压转换，驱动设计简单，小电流工作散热问题容易解决。因此，大范围采用高压LED是LED芯片发展和应用的未来趋势。

技术指标

1、发光效率：136.9lm/W @20mA 2、随意切割 3、多芯片串联，反向漏电小，反向击穿电压高； 4、与传统1W@350mA大功率芯片相比，光输出提高约11%，电流扩展更均匀； 5.电流小，散热要求低，可靠性高，1000小时光衰小于2%； 6.电压高，几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压损耗小，驱动设计简单。

其他说明

完成人信息

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