一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法

成果编号：39718

价格：50

完成单位：西北工业大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2018年

成熟程度：其他

服务产业领域：新材料

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发布人：江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处离线

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本发明公开了一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备、Al膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层，然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列，最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上，去除膜层后即可获得具有增透效果的减反微结构表面。该方法具有工艺稳定性及可控性高，可在大面积基底上制备几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术、新产品

合作方式：技术转让、技术开发

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项

成果简介

综合介绍

创新要点

一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备、Al膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层，然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列，最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上。溅射工艺参数为：Al靶，Ar工作气体，背景真空度优于6×10^-4Pa，工作压强0.3～0.5Pa，射频功率80～100W，氩气流量10～15SCCM，镀膜时间10～30min；超快脉冲激光直写工艺参数为：脉冲激光功率3mW～6mW，脉冲宽度1ps～3ps，聚焦物镜倍数10X～20X，脉冲重复频率325～342Hz/s，样品台移动速率1.2～1.3mm/s；等离子体刻蚀工艺参数为：刻蚀气体为CH4、H2、Ar的混合气体；气体流量为Ar16sccm、CH4 4sccm、H2 28sccm，工作气压为1.0Pa，功率为500W，刻蚀时间50～150min；用草酸清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底，以去除Al膜层。

技术指标

在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100～200nm的Al膜层；通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层中制备微孔结构参数为周期3.6～4.0μm、孔径1.2～2.0μm的微孔结构阵列；通过等离子体刻蚀工艺把Al膜层中的微孔结构阵列刻蚀到ZnS基底上，刻蚀深度800nm～2.0μm；周期3.6～4.0μm，孔径1.2～2.0μm。

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