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晶圆级RDL-first扇出型封装技术

成果编号:38554
价格:面议
完成单位:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
单位类别:企业
完成时间:2022年
成熟程度:小批量生产阶段
服务产业领域: 电子信息
发布人:Gabriel 离线
基于芯片后装(RDL first)封装形式可以实现更高的封装密度及更好的关键参数表现,随着该技术熟,正在加快渗透与蚕食2.5D CoWoS在高性能计算机群(High Performance Computing,HPC)、人工智能(Artificial Intelligence,AI)、网络处理器、边缘计算等的高端应用市场。
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成果介绍

科技计划:
成果形式:新工艺
合作方式:技术转让
参与活动: 第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况: 正在申请 ,其中:发明专利 0
已授权专利,其中:发明专利 4
成果简介
综合介绍
基于芯片后装(RDL first)封装形式可以实现更高的封装密度及更好的关键参数表现,随着该技术熟,正在加快渗透与蚕食2.5D CoWoS在高性能计算机群(High Performance Computing,HPC)、人工智能(Artificial Intelligence,AI)、网络处理器、边缘计算等的高端应用市场。
创新要点
解决了因翘曲带来的FC虚焊和Underfill填充空洞问题;实现2颗15mm*24mm尺寸芯片的集成,最终获得26.4mm*32.4mm超大封装体。并完成了信号的扇出与基板组装测试,获得了完整的RDL-first扇出型封装技术封装与测试工艺经验。
技术指标
覆铜率大于65% 、4P4M叠层结构无分层,3层RDL行业最尖端线宽线距L/S=2/2um、Via+RDL一次成型工艺技术;实现了多层叠孔设计的互连层的制造。并完成直径20um/节距40um细微凸点制作和热压键合工艺开发
其他说明
完成人信息
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职务:对接成功后可查看
职称:对接成功后可查看
手机:对接成功后可查看
E-mail:对接成功后可查看
电话:对接成功后可查看
传真:对接成功后可查看
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联系人信息
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