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第三代半导体SiC外延设备

成果编号:38551
价格:面议
完成单位:芯三代半导体科技(苏州)有限公司
单位类别:企业
完成时间:2022年
成熟程度:批量生产阶段
服务产业领域: 电子信息
发布人:Gabriel 离线
该产品定位于产业链的上游,利润率高,技术门槛高,目标实现后将填补国家 第三代半导体外延制造领域空白,达到世界领先水平。
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成果介绍

科技计划:
成果形式:新装备
合作方式:技术转让
参与活动: 第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况: 正在申请 ,其中:发明专利 56
已授权专利,其中:发明专利 34
成果简介
综合介绍
该产品定位于产业链的上游,利润率高,技术门槛高,目标实现后将填补国家 第三代半导体外延制造领域空白,达到世界领先水平。
创新要点
芯三代半导体科技(苏州)有限公司研发的第三代半导体SiC外延设备,由“底部+热壁式”反应腔、模块式排气、喷淋式垂直进气、高速旋转载片台、多路反应气体分配混合系统、独立预热/冷却腔体等组成,采用PLC和上位机控制技术对工艺过程进行自动控制,用于生长SiC单晶薄膜材料。与国外竞争者相比,具有性价比高、均匀性好、缺陷率低、产能高、维护成本低等优势。
技术指标
第三代半导体SiC外延设备,由“底部+热壁式”反应腔、模块式排气、喷淋式垂 直进气、高速旋转载片台、多路反应气体分配混合系统、独立预热/冷却腔体等 组成,采用PLC和上位机控制技术对工艺过程进行自动控制,用于生长SiC单晶 薄膜材料。
其他说明
完成人信息
姓名:对接成功后可查看
所在部门:对接成功后可查看
职务:对接成功后可查看
职称:对接成功后可查看
手机:对接成功后可查看
E-mail:对接成功后可查看
电话:对接成功后可查看
传真:对接成功后可查看
邮编:对接成功后可查看
通讯地址:对接成功后可查看
联系人信息
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职称:对接成功后可查看
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