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基于GaN单晶衬底的Micro-LED外延生长

成果编号:38548
价格:面议
完成单位:江苏第三代半导体研究院有限公司
单位类别:企业
完成时间:2022年
成熟程度:小批量生产阶段
服务产业领域: 电子信息
发布人:Gabriel 离线
Micro-LED技术已在全球掀起研究热潮,成为下一代显示技术的重要发展方向。然而,距离实现商业化,仍存在较大的技术障碍。特别是LED从照明应用从照明向显示应用的转变,使其对LED芯片的缺陷控制、波长均匀性、效率衰减这三个方面,提出了严峻的考验。
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成果介绍

科技计划:
成果形式:新产品
合作方式:技术转让
参与活动: 第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况: 正在申请 ,其中:发明专利 17
已授权专利,其中:发明专利 0
成果简介
综合介绍
Micro-LED技术已在全球掀起研究热潮,成为下一代显示技术的重要发展方向。然而,距离实现商业化,仍存在较大的技术障碍。特别是LED从照明应用从照明向显示应用的转变,使其对LED芯片的缺陷控制、波长均匀性、效率衰减这三个方面,提出了严峻的考验。
创新要点
目前小电流下Micro-LED的内量子效率随芯片尺寸减小而急剧下降的产业难题,究其根本在于当前的LED外延结构已经不能满足随着芯片尺寸的缩微化和微小电流的工作状况,针对同质外延,对外延结构进行系统性的重建和优化,极大的缓解了效率衰减的问题。
技术指标
同质外延位错密度<1E7cm-2,表面粗糙度均方差RMS<0.5nm,Micro-LED蓝光波长450-470nm,波长均匀性<1.0nm;绿光波长510-530nm,波长均匀性<1.5nm。HEMT的势垒层不均匀性<2nm;方阻不均匀性<3%,迁移率>1800cm2/Vs。
其他说明
完成人信息
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联系人信息
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