一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用

成果编号：38469

价格：3

完成单位：江苏理工学院

单位类别：其他高校

完成时间：2023年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：电子信息、新材料

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发布人：胡益丰离线

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本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压，生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相，呈现出3个不同电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其1 0年数据保持温度达到2 0 0℃ ，远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。

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成果介绍

科技计划：国家级：中国

成果形式：新材料

合作方式：技术转让、人才培养

参与活动： 2023年高校院所走进镇江产学研合作对接活动第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项
专利号:
ZL 2019101461690

成果简介

综合介绍

创新要点

多级相变V2O5薄膜材料的厚度为200～300nm，在所述厚度下的可逆相变过程中具有明显的非晶态-中间态-晶态的可逆转变，在相变过程中出现非晶态、中间态和晶态三个不同的相态，并呈现出3个不同的电阻值。

技术指标

利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与氧气的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气体流量以及溅射气压，在衬底上生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜材料在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同的相，呈现出3个不同的电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其10年数据保持温度达到200℃，远远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。

其他说明

完成人信息

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