一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法

成果编号：38116

价格：面议

完成单位：南通大学

单位类别：其他高校

完成时间：未填写

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：江苏省生产力促进中心先进制造与节能环保处在线

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一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制造方法包括：制备底电极；在底电极上淀积 P+硅薄膜层；在 P-硅薄膜层上淀积 N-型硅薄膜层；在电极窗口处的 N-型硅薄膜上进行 N 型杂质的重掺杂，在电极窗口处的 N-型硅薄膜层上形成 N+型硅薄膜；制备顶电极；淀积包围顶电极的 N-型硅薄膜层；激光刻蚀 P 型硅薄膜通槽；在上述 N 型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述 P-硅薄膜层的通槽；对上述通槽继续进行硅薄膜淀积，形成包围 N 型硅薄膜的 P-硅薄膜层。本发明提高了太阳能电池的受光面积，从而提高了电池的光电转换率：且制备工艺与现有薄膜电池生产工艺兼容，可利用现有设备进行生产。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项

成果简介

综合介绍

创新要点

(1)制备底电极，所述底电极是通过磁控溅射铝在衬底上形成导电的铝或银薄膜； (2)第一次淀积 P 型硅薄膜，在所述底电极上进行硅薄膜淀积，在淀积的同时进行 P 型杂质的重掺杂，在底电极上形成 P+硅薄膜层； (3)第二次淀积 P 型硅薄膜，在所述 P+硅薄膜上继续淀积，在淀积的同时进行 P 型杂质的掺杂，在 P+硅薄膜层上形成 P- 硅薄膜层； (4)第一次淀积 N 型硅薄膜，在所述 P- 硅薄膜上继续淀积，在淀积的同时进行 N 型杂质的掺杂，在 P- 硅薄膜层上形成 N- 型硅薄膜层； (5)形成欧姆接触区，将镂空有电极窗口的丝网覆盖于所述 N- 型硅薄膜上，在电极窗口处的 N- 型硅薄膜上进行 N 型杂质的重掺杂，在电极窗口处的 N- 型硅薄膜层上形成 N+型硅薄膜； (6)制备顶电极，在上述 N+型硅薄膜上进行顶电极淀积，形成顶电极，去除丝网； (7)第二次淀积 N 型硅薄膜，在去除丝网后的 N- 型硅薄膜层上及顶电极上继续硅薄膜淀积，同时进行 N 型杂质的掺杂，形成包围顶电极的 N- 型硅薄膜层

技术指标

转换效率提高 30%

其他说明

完成人信息

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