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面向柔性光电子器件的有机纳米聚合物

成果编号:37780
价格:面议
完成单位:南京邮电大学
单位类别:其他高校
完成时间:2020年
成熟程度:小批量生产阶段
服务产业领域: 电子信息、新材料
发布人:blueye 离线
有机纳米聚合物作为一类以二芳基芴为最基础单元结构构筑的聚合物,其单体尺寸约为1~2nm,不仅克服了芴基材料溶解性差、色纯度低、易老化等缺点,还带来了良好的成膜性、高的发光效率与亮度等,同时其良好的机械柔韧性也有助于发展柔性发光显示器件。其中,格基有机纳米聚合物是借助单或多重共价键将纳米格芳烃连接而构筑成的一类新型高分子,其主链特征介于一维共轭聚合物与二维 COF 之间,可兼顾类无机碳纳米与有机高分子的双重属性优势。同时凭借格芳烃单元骨架的可延伸拓展、可安装嫁接、可程序规模化等结构优势,结合格芳烃单元间灵活的单/多键互联类型,格基纳米聚合物骨架模式可涵盖一维侧柔性链接枝型、一维单链主链型、以及一维刚性双链梯形与螺环型等所有传统高分子链构造类别,甚至能拓展至二/三维类共价有机框架等多孔纳米建筑。格基有机纳米聚合物不仅可通过聚格骨架的超位阻特征突破低成本大面积的溶液加工瓶颈,而且还拥有柔性力学与超分子离子络合输运等新功能。相比于传统共轭聚芴体系,纳米聚格化效应提高了聚合物主链的刚性与各向异性,借助共价锁定功能抑制主链构象变化、玻璃化转变与半结晶等行为,从而减少聚集体多态性并提高宽带隙蓝光发射稳定性与透光率。
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成果介绍

科技计划: 国家级:国家自然科学基金项目
成果形式:新材料
合作方式:技术转让、技术咨询、技术入股
参与活动: 2023年高校院所走进镇江产学研合作对接活动 第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况: 正在申请 ,其中:发明专利 4
已授权专利,其中:发明专利 5
专利号:
US11434324B2
US11312717B2
ZL201910332730.4
ZL201811396244.0
成果简介
综合介绍
有机纳米聚合物作为一类以二芳基芴为最基础单元结构构筑的聚合物,其单体尺寸约为1~2nm,不仅克服了芴基材料溶解性差、色纯度低、易老化等缺点,还带来了良好的成膜性、高的发光效率与亮度等,同时其良好的机械柔韧性也有助于发展柔性发光显示器件。其中,格基有机纳米聚合物是借助单或多重共价键将纳米格芳烃连接而构筑成的一类新型高分子,其主链特征介于一维共轭聚合物与二维 COF 之间,可兼顾类无机碳纳米与有机高分子的双重属性优势。同时凭借格芳烃单元骨架的可延伸拓展、可安装嫁接、可程序规模化等结构优势,结合格芳烃单元间灵活的单/多键互联类型,格基纳米聚合物骨架模式可涵盖一维侧柔性链接枝型、一维单链主链型、以及一维刚性双链梯形与螺环型等所有传统高分子链构造类别,甚至能拓展至二/三维类共价有机框架等多孔纳米建筑。格基有机纳米聚合物不仅可通过聚格骨架的超位阻特征突破低成本大面积的溶液加工瓶颈,而且还拥有柔性力学与超分子离子络合输运等新功能。相比于传统共轭聚芴体系,纳米聚格化效应提高了聚合物主链的刚性与各向异性,借助共价锁定功能抑制主链构象变化、玻璃化转变与半结晶等行为,从而减少聚集体多态性并提高宽带隙蓝光发射稳定性与透光率。
创新要点
1. 产品分子结构新。针对市场上蓝光材料稳定性差的问题,我们研发团队在芴基上引入位阻基团设计了一系列新材料。获得高效率的非掺杂的蓝光材料器件,器件的效率达到了43.14cd/A,CIE色坐标为(0.13,0.05),性能指标达到了国际先进水平。 2.产品制备方法新。特殊巧妙的分子设计,通过采用“一锅法”反应与连续流技术相结合,通过重结晶方法量产中间体螺芴杂蒽,产率可达98%,纯度高达到99.99%,相比于以前多步合成制备中间体,该制备技术具有制备过程简单、生产周期短、绿色环保、成本低廉低成本、易于推广等等技术创新和优势。 3. 产品提纯方法新。通过探索我们特色中间体的化学与物理特性,借助于目前材料提纯化学的最新进展,通过利用有机分子的相分离特性,采用不同比例的良溶剂与不良溶剂共混,使有机半导体中间体无须柱层析,即可在短时间结晶纯化,缩短工作时间,大大降低生产成本; 4、量产技术新。我们研发团队首次将连续流技术与一锅法工艺相结合。其中芳基芴醇的产率由室温下45%提高至100%,反应时间由15 h缩短至36 s,与传统的反应釜批量生产相比,原料成本降低35%,废固降低64%,生产工期降低86%,实现了柔性显示材料的绿色生产。
技术指标
1. 荧光量子效率大于50%,品质影响Q = 5500~6200。 2. 深蓝光,CIE 坐标为(0.16, 0.10),器件亮度超1579 cd m-2, EQE 为 0.81%,绿光指数为 0.3。 3. 最大拉伸应变大于15%,弹性模量约为 65 MPa,韧性可高达 70.62 MJ m-3。 4. 空穴迁移率大于3.94 × 10-3 cm2v-1 s-1,并五苯 OFET 器件的载流子迁移率(从 μFET = 0.2 cm2V-1 s-1 提高至 0.9 cm2V-1 s-1),平均介电常数为 k = 8.43。
其他说明
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