高端半导体光掩膜版量产关键技术

成果编号：37642

价格：面议

完成单位：华中科技大学

单位类别：985系统院所

完成时间：2023年

成熟程度：批量生产阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：江苏省生产力促进中心苏南中心综合与政策服务处离线

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具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下：（1）工艺突破团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。电子束光刻工艺效果激光光刻工艺效果纳米压印光刻工艺效果（2）装备国产化 A.超高精度二维测量装备尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B.缺陷修复装备掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C.Pellicle自动贴膜装备随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm，且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。（3）厂房建设关键技术团队对 MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。【技术优势】（1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上；（2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍；（3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：其他

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 17 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项

成果简介

综合介绍

创新要点

（1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上；（2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍；（3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。

技术指标

（1）量产掩膜版技术指标：180 nm线；验证掩膜版技术指标：28 nm线；（2）国产化装备主要技术指标如下表：关键尺寸测量(CD)技术最大可测量范围 300mm×300mm 最大可测量掩膜版厚度 1mm～8mm 最小测量线宽 0.3μm 测量精度 3nm (3σ) 长尺寸测量(TP)技术测量范围 10mm×10mm 300mm×300mm 重复精度 3σ<0.2nm 3σ<10nm 再现精度 3σ<1nm 3σ<80nm 缺陷修复装备可精确控制修补厚度误差 <5% 重复定位精度 <20nm 修补精度 ±0.1μm 耐受性耐强酸碱、超声波清洗不脱落 Pellicle自动贴膜装备贴膜精度 ±0.1mm 厂房建设关键技术技术标准 VC-D级，满足纳米级生产技术要求

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完成人信息

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