科技计划：
成果形式：新品种、新标准
合作方式：其他
参与活动：
专利情况：
正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项
成果简介
综合介绍
金属单晶基底在科研及特殊环境应用具有重要意义。本技术可以制备大面积单晶铜箔达7.5cm x 70 cm，且该尺寸只受当前设备尺寸限制，可放大，其制备效率比现有技术高1个数量级.单晶不存在晶界破坏,具有韧-脆转变温度低、高温结构性能稳定等优点,使用温度比相同成分的传统柱状晶提高50～100℃,安全服役寿命得以显著提高,因而高温金属结构材料单晶的制备、取向及其性能已经成为当前高温结构材料领域研究的热点。
创新要点
利用等离子体热处理方法,分别在W金属和单晶Si基底表面直接制备了站立式石墨烯。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对获得的样品进行了结构和成分的表征,并用硬度计对样品表面硬度进行了测量。结果表明,在W金属和单晶Si基底表面分别形成了成分为W2C-WC/石墨烯和SiC/石墨烯的复合层,且均匀的分布在相应的基底上。
技术指标
W2C-WC/石墨烯复合层制备成功后,金属W的表面硬度为502.95 HV0.01,与纯金属W基底的硬度450.41 HV0.01相比,表面硬度增加52.54 HV0.01,提高了11.6%; Si C/石墨烯复合层制备成功后,Si C/石墨烯表层的硬度为836.76 HV0.025,与单晶Si基底的硬度812.74 HV0.025相比,表面硬度增加24.02 HV0.025,提高了2.95%。
其他说明
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