一种基于SiGe工艺的微波检波器芯片

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一种基于SiGe工艺的微波检波器芯片

需求所属领域：装备制造

需求所处阶段：其他

需求缘由：新产品开发

意向合作方式：技术开发

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

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发布人：江苏省生产力促进中心科技人才培训中心在线

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基于 SiGe BiCMOS 技术将高频性能优异的 SiGe HBT 器件与工艺成熟价格低廉的 Si CMOS 器件集成，使得检波器芯片在改进 Si 器件性能的同时又保留 Si 集成电路极大的成本和制造优势，即能制造高频、高增益、低噪声特性器件又适合大规模集成。存在的主要技术问题是：应用于微波检波器的无源器件的损耗可转换为噪声从而影响检波器的灵敏度，进而影响其动态范围。在微波频段，硅基工艺衬底的损耗对无源器件的损耗影响随频率增加而增大，从而导致无源器件的品质因子下降，从而影响检测灵敏度。因此需要深入研究无源器件的损耗机理、并从无源器件的电磁效应方面入手进行研究，设计高品质因子微波无源器件是本项目的难点之一。

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
基于 SiGe BiCMOS 技术将高频性能优异的 SiGe HBT 器件与工艺成熟价格低廉的 Si CMOS 器件集成，使得检波器芯片在改进 Si 器件性能的同时又保留 Si 集成电路极大的成本和制造优势，即能制造高频、高增益、低噪声特性器件又适合大规模集成。存在的主要技术问题是：应用于微波检波器的无源器件的损耗可转换为噪声从而影响检波器的灵敏度，进而影响其动态范围。在微波频段，硅基工艺衬底的损耗对无源器件的损耗影响随频率增加而增大，从而导致无源器件的品质因子下降，从而影响检测灵敏度。因此需要深入研究无源器件的损耗机理、并从无源器件的电磁效应方面入手进行研究，设计高品质因子微波无源器件是本项目的难点之一。

需求简要说明及主要技术参数

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