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高功率密度驱动电机控制器SIC技术

需求所属领域: 装备制造
需求所处阶段:研制阶段
需求缘由:新产品开发
意向合作方式: 技术转让、技术开发、技术咨询、其他
意向合作院校:
拟投入资金额: 面议
参加活动:
发布人:YBDQD 离线
随着市场对电动汽车动力性能提出的更高需求,需要研发出一款效率更高、体积更小、功率密度更高的电机驱动系统,而其中车用电机控制器是关键。 当前车用电机控制器基本采用以传统硅基材料为主的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),受材料限制,硅基功率器件特性已逼近材料本征极限,功率密度和效率指标已难以大幅提升。 SiC基器件对比Si基器件,能够在更小的空间内提供更高的电压和电流性能(功率),相同开关频率下,Sic IGBT产生的开关损耗比 Si IGBT低得多,且SiC 器件的开关速度可以设置为超出(通常为 10-50 kHz)Si IGBT 极限开关速度的几倍,与 Si IGBT 相比,SiC 器件的导通损耗更低,在轻负载下也可以实现更高效率。 因此,公司拟通过与海外合作伙伴共同研发“高功率密度驱动电机控制器SIC技术”,提高新能源汽车电机控制器技术水平。预期目标:3-5年内拥有自主知识产权的SiC模块优化设计方法;在现有基础上,提升车用SiC电机驱动控制器功率密度、效率,降低损耗。
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最近对接

caoyuan0908
2021-06-21

需求详情

技术介绍
需求简要说明及主要技术参数
随着市场对电动汽车动力性能提出的更高需求,需要研发出一款效率更高、体积更小、功率密度更高的电机驱动系统,而其中车用电机控制器是关键。 当前车用电机控制器基本采用以传统硅基材料为主的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),受材料限制,硅基功率器件特性已逼近材料本征极限,功率密度和效率指标已难以大幅提升。 SiC基器件对比Si基器件,能够在更小的空间内提供更高的电压和电流性能(功率),相同开关频率下,Sic IGBT产生的开关损耗比 Si IGBT低得多,且SiC 器件的开关速度可以设置为超出(通常为 10-50 kHz)Si IGBT 极限开关速度的几倍,与 Si IGBT 相比,SiC 器件的导通损耗更低,在轻负载下也可以实现更高效率。 因此,公司拟通过与海外合作伙伴共同研发“高功率密度驱动电机控制器SIC技术”,提高新能源汽车电机控制器技术水平。预期目标:3-5年内拥有自主知识产权的SiC模块优化设计方法;在现有基础上,提升车用SiC电机驱动控制器功率密度、效率,降低损耗。
企业信息
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所在地区 对接成功后可查看 详细地址 对接成功后可查看
负责人信息
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