Sic IGBT（Sic MOSFET）逆变器

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Sic IGBT（Sic MOSFET）逆变器

需求所属领域：装备制造

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：新产品开发

意向合作方式：技术开发

意向合作院校：

拟投入资金额：面议

参加活动： 2019年宁镇高校院所走进镇江高新区科技合作对接会、第七届中国江苏产学研合作大会

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发布人：江苏银佳电子设备有限公司离线

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项目名称：Sic IGBT（Sic MOSFET）逆变器的研究 Sic逆变器技术参数：直流输入电压为DC150V~300V，功率10kW,输出电压为三相，通过隔离变压器升压到380V。目前已有的基础：有成熟的控制板电路、及DSP主控芯片程序。需要解决的难题：研究Sic IGBT三相逆变器驱动电路。期望值：用Sic IGBT（Sic MOSFET）代替传统IGBT（MOSFET），目的是减小逆变器体积，提高逆变效率。

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
项目名称：Sic IGBT（Sic MOSFET）逆变器的研究 Sic逆变器技术参数：直流输入电压为DC150V~300V，功率10kW,输出电压为三相，通过隔离变压器升压到380V。目前已有的基础：有成熟的控制板电路、及DSP主控芯片程序。需要解决的难题：研究Sic IGBT三相逆变器驱动电路。期望值：用Sic IGBT（Sic MOSFET）代替传统IGBT（MOSFET），目的是减小逆变器体积，提高逆变效率。

需求简要说明及主要技术参数

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