需求简要说明及主要技术参数 |
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CeO2含量≥99.9%,晶粒尺寸≤10nm,形貌:球形:抛光液粒度D50=10nm~300nm,Dmax<500nm,有害杂质离子浓度<40ppm,硅晶片抛光速度≥100nm/min,表面粗糙度Ra≤1nm,高性能玻璃基片抛光速度≥25nm/min,表面粗糙度Ra≤0.5nm,达到或接近国外先进水平。
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