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| 需求简要说明及主要技术参数 |
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2.5D中段特种晶圆工艺与系统芯片封装技术，是一个新型系统级芯片设计、加工和集成的技术构架和系统芯片集成方案，其核心是基于硅直通孔（Through-Silicon Via，简称TSV）来实现金属的垂直互联技术，以此将芯片制造与封装技术相有机融合，并通过立体封装来完成系统芯片的集成。其中，最直接的封装级TSV应用则为TSV垂直互联单芯片。
预期解决的主要问题如下：
①圆片减薄最小厚度<100mm ;背面RDL层数：1~2，最小线宽线距：8/8mm，微凸点最小间距40mm，最大芯片面积为：20′20 mm2，可集成至少2个芯片。
②晶圆背面凸点、RDL 工艺。
③硅转接板背面TSV窗口处电镀形成RDL与凸点。需要更小的间距/线宽与Bump直径。
④载板晶圆剥离及后处理工艺技术；
⑤将晶圆叠层固定在合适的载板晶圆剥离模块中，确保晶圆的所有区域都能获得支撑，并在剥离过程中保持平坦且不受压力，通过均匀受热，达到了适当的剥离温度后，两块晶圆被分离开来。
⑥薄圆片处理工艺（<100微米）
⑦因圆片减薄至小于100微米，易造成翘曲，影响后道工序处理，需要进行特殊工艺处理，减小应力，降低翘曲。
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| 企业名称 | 对接成功后可查看 | 企业类型 | 对接成功后可查看 |
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| 所在地区 | 对接成功后可查看 | 详细地址 | 对接成功后可查看 |
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