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解决深紫外LED光效极低问题

需求所属领域: 电子信息
需求所处阶段:其他
需求缘由:其他
意向合作方式: 其他
意向合作院校:
拟投入资金额: 面议
参加活动:
发布人:江苏省生产力促进中心苏南中心综合与政策服务处 离线
需要解决1.晶格失配导致缺陷密度高、内量子效率低。A1G光在平滑界面易发生全反射;LED内部吸收, 包括p-GaN接触层的吸收。 技术指标:A1G&N基大功率高效深紫外LED芯片实现280nm以下,输出 光功率不低于40洲。
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魏伟
2023-10-02
fengmeixin12
2023-09-14
weiw23@126.com
2023-10-02

需求详情

技术介绍
需求简要说明及主要技术参数
需要解决1.晶格失配导致缺陷密度高、内量子效率低。A1G光在平滑界面易发生全反射;LED内部吸收, 包括p-GaN接触层的吸收。 技术指标:A1G&N基大功率高效深紫外LED芯片实现280nm以下,输出 光功率不低于40洲。
企业信息
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所在地区 对接成功后可查看 详细地址 对接成功后可查看
负责人信息
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