需求简要说明及主要技术参数 |
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需要解决1.晶格失配导致缺陷密度高、内量子效率低。A1G光在平滑界面易发生全反射;LED内部吸收,
包括p-GaN接触层的吸收。 技术指标:A1G&N基大功率高效深紫外LED芯片实现280nm以下,输出 光功率不低于40洲。
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