IGBT功率晶体管的组装及产业化研究

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IGBT功率晶体管的组装及产业化研究

需求所属领域：新材料

需求所处阶段：小批量生产阶段

需求缘由：新产品开发

意向合作方式：技术咨询

意向合作院校：南京工业大学,南京理工大学,南京大学,河海大学,江苏科技大学

拟投入资金额： 680万元

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发布人：泰州海天半导体有限公司离线

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IGBT功率晶体管的组装及产业化研究，主要技术指标为： BT15N120ANH BT25N120ANN HBVDSS≥1200V(ID=1mA) HBVDSS≥1200V(I=(ID=1mA) VFSD≤2V (ID=15A) VFSD≤2.2V (ID=25A) VHT 3.55V－7.55V(ID=15mA) VHT 3.5V－7.5V (ID=25mA) VDSDN 0.5V-3.5V(ID=15AVGS=15V) VDSDN 0.5V-3.5V( (ID=25A VGS=15V )

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需求详情

技术介绍

需求简要说明及主要技术参数
IGBT功率晶体管的组装及产业化研究，主要技术指标为： BT15N120ANH BT25N120ANN HBVDSS≥1200V(ID=1mA) HBVDSS≥1200V(I=(ID=1mA) VFSD≤2V (ID=15A) VFSD≤2.2V (ID=25A) VHT 3.55V－7.55V(ID=15mA) VHT 3.5V－7.5V (ID=25mA) VDSDN 0.5V-3.5V(ID=15AVGS=15V) VDSDN 0.5V-3.5V( (ID=25A VGS=15V )

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