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大功率GaN微波毫米波二极管

成果编号:27797
价格:面议
完成单位:南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
单位类别:企业
完成时间:2020年
成熟程度:小批量生产阶段
服务产业领域:装备制造,能源环保 电子信息、装备制造、能源环保
发布人:zdxg
第三代半导体GaN具有高击穿、高速工作、耐高温等特性,本成果首次发布系列大功率GaN微波毫米波二极管器件,目前国内外尚无类似产品。相对于传统Si二极管,该系列GaN二极管具有显著的耐功率、高速等优势,工作频率涵盖1GHz~300GHz,满足现有绝大部分应用需求。本成果应用广泛,可用于船舶接收端的大功率限幅,提高抗干扰能力;用于无线输能或远距离无线充电,可大幅提高整流功率和效率,实现装置的小型化;用于太赫兹系统,可提高太赫兹固态源输出功率,实现太赫兹源小型化,为6G通信等未来应用奠定基础。
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成果介绍

科技计划: 省部级:新一代大功率太赫兹固态器件与芯片研究
成果形式:新技术、新产品
合作方式:技术开发、技术入股、其他
参与活动:
专利情况: 正在申请 ,其中:发明专利 2
已授权专利,其中:发明专利 0
成果简介
综合介绍
第三代半导体GaN具有高击穿、高速工作、耐高温等特性,本成果首次发布系列大功率GaN微波毫米波二极管器件,目前国内外尚无类似产品。相对于传统Si二极管,该系列GaN二极管具有显著的耐功率、高速等优势,工作频率涵盖1GHz~300GHz,满足现有绝大部分应用需求。本成果应用广泛,可用于船舶接收端的大功率限幅,提高抗干扰能力;用于无线输能或远距离无线充电,可大幅提高整流功率和效率,实现装置的小型化;用于太赫兹系统,可提高太赫兹固态源输出功率,实现太赫兹源小型化,为6G通信等未来应用奠定基础。
创新要点
利用横向和纵向结构的优势,实现工作频率涵盖1GHz~300GHz的系列高性能GaN二极管。 1)突破横向结构GaN二极管的低损伤刻蚀、先进阳极接触等关键工艺,研制出高击穿、低阻的GaN 横向二极管。以0.35pF GaN SBD为例,击穿电压达50V,电阻仅有1.6Ω。 2)掌握了准垂直GaN SBD的低寄生T型阳极制备、表面沟道刻蚀等系列核心技术,研制出超高频GaN SBD器件,截止频率达600GHz,击穿电压20V,远优于GaAs SBD。
技术指标
典型电容值:0.5pF、0.35pF、0.1pF、30fF等; 击穿电压:20V~150V; 截止频率最高达600GHz。
其他说明
完成人信息
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