科技计划：
国家级：
成果形式：新技术、新工艺、新材料
合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务
参与活动：
2020年高校院所走进镇江高新区暨船舶海工产业产学研合作对接活动
2020年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况：
未申请专利
成果简介
综合介绍
用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而，Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈，而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此，Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
创新要点
我们课题组采用先进的分子束外延技术于2018年实现了Si（100）衬底上高质量无反相畴GaAs的直接外延，这在国内外都还没有相关的报道。目前，我们课题组已经申请相关专利2项，关于Si基上III-V的集成是最新成果，正在进一步整理实验结果，准备同时发表专利和文章。此外，我们还打算对GaAs进一步优化以改善缺陷的情况，深入研究生长机理，后续生长器件结构来靠近实际的应用和满足市场的需要。我们目前在Si衬底上所生长出来的表面原子级平整的GaAs薄膜的这一技术将对未来Si基光子学的发展提供有利的条件。
技术指标
本项目具有非常好的产业化前景，因为硅基光子芯片的蓬勃发展，对硅基集成III-V的外延晶圆需求很大，并且要求很高。但目前市场上能够提供GaAs虚拟衬底的厂家极少，所用技术也多为MOCVD，这就涉及到晶圆的斜切角以及晶圆的表面处理等诸多关键问题，使用MBE技术的优势就可以体现出来。而且国外相当一部分产品，尤其是基于III-V光电器件的存在禁运的问题，仅仅就Si上外延GaAs虚拟衬底这一方向而言，我们的GaAs虚拟衬底在国内的需求量都会非常大。
其他说明
完成人信息
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纪秀林与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
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