科技计划：
成果形式：新材料
合作方式：技术转让、技术服务、技术入股
参与活动：
专利情况：
未申请专利
成果简介
综合介绍
该项目获国家863计划支持，开发了新型非极性LED材料生长和器件制作技术。
创新要点
用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法，在γ-LiAlO2衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯，分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光。
技术指标
LED结构材料的室温波长分别为363nm（FWHM：20nm）、414nm（FWHM：68nm）、519nm（FWHM：70nm）的发光峰，LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522nm （正向偏压：10 V，电流：70 mA）的发光峰。
其他说明
完成人信息
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附件
纪秀林与江苏省生产力促进中心高层次人才与外国专家服务处对接成功
电话：025-85485967 QQ群：1035941228